術語和定義

1相對電容率 relative

permittivityC丁

電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其電容 Cx與同樣電極構形的真空電

容 C 之 比:

… ””·············。··…(1)

式中:E,—

相對電容率 ;

CX— 充有絕緣材料時電容器的電極電容;

C— 真空中電容器的電極電容。

在標準大氣壓下，不含二氧化碳的于燥空氣的相對電容率 。「等于 1.000.73。因此，用這種電極構

形在空氣中的電容 C。來代替 C 測量相對電容率 。r時，也有足夠的精確度。

在一個測量系統(tǒng)中，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率 。r與真空電氣常數 Eo

的乘積

在S1制中，電容率用法/米(F/m)表示。而且。在 SI單位中，電氣常數 。、為

‘。= 8.854 X1012F/mc s61a丫 10 日F廠m’“““‘。。·… … (2 )

在本標準中，用皮法和厘米來計算電容，真空電氣常數為:Ep= 0.08854pF/cm

介質損耗角8dielectriclossangle

由絕緣材料作為介質的電容器上所施加的電壓與由此而產生的電流之間的相位差的余角。

介質損耗因數，， dielectricdissipationfactortan8損耗角 a的正切 。

〔介質〕損耗指數E,該材料的損耗因數[dielectric]lossindextan8與相對電容率:r的乘積

復相對電容率 complexrelativepermittivityE,由相對電容率和損耗指數結合而得到的:，/一 )E,E,tan8{::·····。···············，，··，···。。。… (5)············。。················… … (6)

式中:E,一 復相對電容率;鮮— 損耗指數;。:、。r一 相對電容率;tan6 一介質損耗因數。

注:有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容C 和電阻R,的串聯電路表示，或用電容C,和電阻R,(或電導

G,)的并聯電路表示并聯等值電路R,((,',)串聯 等值 電路-州二二二州卜一tan占=tan6= .C.R.C,.R,G, ””‘7’

式 中C5R}-串聯 電容串聯 電阻

” 有些國家用“損耗角正切”來表示“介質損耗因數”，因為損耗的測量結果是用損耗角的正切來報告的

，氣一一︷。’l︸，GB/T 1409-2006CP— 并聯電容;R,— 并聯電阻。

雖然以并聯電路表示一個具有介質損耗的絕緣材料通常是合適的，但在單一頻率下 有時也需要以電容C,

和電阻R,的串聯電路來表示。串聯元件與并聯元件之間，成立下列關系:C,l+ tan'&二(9)1 +tabta'ns'8R.C,R,一面mC1,R,

式(9),(10),(I)中 C R C,,R,,tan6同式(7),(8)0

無論串聯表示法還是并聯表示法，其介質損耗因數 tans是相等的.

假如測量電路依據串聯元件來產生結果，且tan'8太大而在式(9)中不能被忽略，則在計算電容率前必須先

計算并聯電容

本標準中的計算和側量是根據電流(田=2兀/)正弦波形作出的 

推薦測試設備:GCSTD-D高低頻介電常數測試儀

試驗方法：

接觸法：適用于厚度均勻、上下表面平整、光滑材料

非接觸法：適用于上下表面不平整、不光滑材料

電極類型：固定電極-測量電極φ38mm/φ50mm(標配電極1套，標配為38mm)

          液體電極-液體容量15ml

          粉體電極-根據樣品量可配電極

試樣類型：固體、液體、粉體、膏體/規(guī)則物或者不規(guī)則物

性能特點

■ 測試頻率20Hz～2MHz，10mHz步進 
■ 測試電平10mV～5V, 1mV步進 
■ 基本準確度0.1%
■ 高達200次/s的測量速度 
■ 320×240點陣大型圖形LCD顯示 
■ 五位讀數分辨率 
■ 可測量22種阻抗參數組合
■ 四種信號源輸出阻抗                                           
■ 10點列表掃描測試功能 
■ 內部自帶直流偏置源 
■ 外置偏流源至40A(配置兩臺TH1776)(選件)
■ 電壓或電流的自動電平調整(ALC)功能 
■ V、I測試信號電平監(jiān)視功能 
■ 圖形掃描分析功能 
■ 20組內部儀器設定可供儲存/讀取 
■ 內建比較器,10檔分選及計數功能 
■ 多種通訊接口方便用戶聯機使用                                 
■ 2m/4m測試電纜擴展(選件)
■ 中英文可選操作界面 
■ 可通過USB HOST 自動升級儀器工作程序 

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